أخبار

تصف المقالة الخصائص الفيزيائية الممتازة لشعور الكربون ، والأسباب المحددة لاختيار طلاء SIC ، وطريقة ومبدأ طلاء SIC على شعر الكربون. كما أنه يحلل على وجه التحديد استخدام مقياس حيود الأشعة السينية D8 Advance (XRD) لتحليل تكوين الطور من طلاء الكربون التي تحسدها.

الطرق الرئيسية لتنمية البلورات الفردية SIC هي: نقل البخار الفيزيائي (PVT) ، وترسب البخار الكيميائي ذو درجة الحرارة العالية (HTCVD) ونمو محلول درجة الحرارة العالية (HTSG).

مع تطوير صناعة الطاقة الكهروضوئية الشمسية ، فإن أفران الانتشار وأفران LPCVD هي المعدات الرئيسية لإنتاج الخلايا الشمسية ، والتي تؤثر بشكل مباشر على الأداء الفعال للخلايا الشمسية. استنادًا إلى أداء المنتج الشامل وتكلفة الاستخدام ، تتمتع مواد السيراميك بالسيليكون بمزيد من المزايا في مجال الخلايا الشمسية أكثر من مواد الكوارتز. يمكن أن يساعد تطبيق مواد سيراميك كربيد السيليكون في صناعة الكهروضوئية بشكل كبير في تقليل تكاليف الاستثمار في المواد الإضافية ، وتحسين جودة المنتج والقدرة التنافسية. إن الاتجاه المستقبلي للمواد السيراميك السيليكون في الحقل الكهروضوئي يتجه أساسًا إلى نقاء أعلى ، وسعة الحمل الأقوى ، وسعة التحميل المرتفعة ، وتكلفة أقل.

تحلل المقالة التحديات المحددة التي تواجهها عملية طلاء CVD TaC لنمو بلورة SiC الفردية أثناء معالجة أشباه الموصلات، مثل مصدر المواد والتحكم في النقاء، وتحسين معلمات العملية، والتصاق الطلاء، وصيانة المعدات واستقرار العملية، وحماية البيئة والتحكم في التكاليف، كما وكذلك حلول الصناعة المقابلة.