مكونات المفاعل الكوكبي الصلب Aixtron G10 SiC

1. الميزات والمزايا الرئيسية

• هيكل صلب من كربيد السيليكون عالي الكثافة وخالي من المواد الرابطة لتوفير مقاومة فائقة للتآكل والتآكل

• موصلية حرارية ممتازة ومقاومة للصدمات الحرارية عند درجات حرارة أعلى من 1500 درجة مئوية

• توليد جزيئات منخفضة للغاية ودرجة نقاء عالية، مما يقلل من مخاطر التلوث

• الخمول الكيميائي المتميز ضد غازات المعالجة المستخدمة في تنضيد كربيد السيليكون

• عمر خدمة طويل في ظل درجات الحرارة المرتفعة المتكررة

• تم تصنيعه بدقة ليتناسب مع تفاوتات الأبعاد الصارمة لتحقيق الملاءمة الموثوقة واستقرار العملية

 2. التطبيقات النموذجية

تُستخدم ملحقات Solid SiC هذه في المجالات الوظيفية الرئيسية لمفاعل Aixtron G10، بما في ذلك:

• لوحات الغلاف وعناصر الغلاف المختارة

• حلقات الحماية والمكونات شديدة التآكل

• دبابيس دقيقة، وغسالات، وأجزاء هيكلية صغيرة

• إدراجات مخصصة أخرى عالية النقاء معرضة لتدفق الغاز المكثف أو الحمل الحراري

إنها تدعم التوزيع المستقر لدرجة الحرارة، وتوصيل الغاز الموحد، وكثافة العيوب المنخفضة أثناء النمو الفوقي كبير الحجم من SiC لدوائر الطاقة MOSFET، والثنائيات، والأجهزة ذات فجوة النطاق الواسعة ذات الصلة.

3. لماذا تختار VeTek Solid SiC لـ Aixtron G10؟

باعتبارها شركة مصنعة متخصصة للمواد من فئة أشباه الموصلات، توفر شركة VeTek Semiconductor ما يلي:

• مكونات SiC صلبة عالية النقاء مصممة خصيصًا لأنظمة Aixtron G10، على سبيل المثال: حلقة الغطاء، الأغطية الداخلية/الخارجية، لوحة السحب/الدعم، قرص القمر الصناعي، المستقبِل

• رقابة صارمة على النقاء والتصنيع باستخدام الحاسب الآلي الدقة

• حلول تكميلية تتضمن الجرافيت المطلي بـ SiC CVD والأجزاء المطلية بـ TaC لتغطية المجال الحراري بالكامل

• تصميمات مخصصة تتوافق مع ظروف عملية محددة وتكوينات المفاعل

تساعد ملحقات Solid SiC الخاصة بنا العملاء على تحقيق أقصى قدر من المزايا الإنتاجية لمنصة Aixtron G10 - إنتاج الرقائق العالي، والسماكة الممتازة وتوحيد المنشطات، وتكلفة الملكية التنافسية - مع إطالة عمر المكونات وتقليل فقدان العائد المرتبط بالجسيمات.