MOCVD SIC Coating Soundor

حقوق النقل الفيتوكي أشباه الموصلات MOCVD SIC مصنوعة من جودة عاليةالجرافيت، والذي تم اختياره لاستقراره الحراري وموصليته الحرارية الممتازة (حوالي 120-150 واط/م·ك). الخصائص المتأصلة للجرافيت تجعله مادة مثالية لتحمل الظروف القاسية في الداخلمفاعلات MOCVD. لتحسين أدائه وإطالة عمر الخدمة، تم طلاء مستقبل الجرافيت بعناية بطبقة من كربيد السيليكون (SiC).

يعتبر MOCVD SiC Coating Susceptor مكونًا رئيسيًا يستخدم فيترسيب البخار الكيميائي (CVD)وعمليات ترسيب البخار الكيميائي العضوي المعدني (MOCVD). وتتمثل وظيفتها الرئيسية في دعم وتسخين رقائق السيليكون أو سيليكون كربيد (SIC) وضمان ترسب غاز موحد في بيئة عالية من درجة الحرارة. إنه منتج لا غنى عنه في معالجة أشباه الموصلات.

تطبيقات مستقبل طلاء MOCVD SiC في معالجة أشباه الموصلات:

دعم الرقاقة والتدفئة:

لا يحتوي Socpospor SiC SiC على وظيفة دعم قوية فحسب ، بل يمكنه أيضًا تسخينها بشكل فعالرقاقةبالتساوي لضمان استقرار عملية ترسيب البخار الكيميائي. أثناء عملية الترسيب، يمكن للتوصيل الحراري العالي لطلاء SiC نقل الطاقة الحرارية بسرعة إلى كل منطقة من الرقاقة، وتجنب ارتفاع درجة الحرارة المحلية أو درجة الحرارة غير الكافية، وبالتالي ضمان إمكانية ترسيب الغاز الكيميائي بالتساوي على سطح الرقاقة. يعمل تأثير التسخين والترسيب الموحد هذا على تحسين اتساق معالجة الرقاقة بشكل كبير، مما يجعل سمك الفيلم السطحي لكل رقاقة موحدًا ويقلل معدل الخلل، مما يزيد من تحسين إنتاجية الإنتاج وموثوقية الأداء لأجهزة أشباه الموصلات.

النمو الفوقي:

فيعملية موكفد، شركات النقل المغلفة SIC هي مكونات رئيسية في عملية نمو Epitaxy. يتم استخدامها على وجه التحديد لدعم وتسخين رقائق كربيد السيليكون والسيليكون ، مما يضمن أن المواد الموجودة في مرحلة البخار الكيميائي يمكن أن تودع بشكل موحد ودقة على سطح الرقاقة ، وبالتالي تشكل هياكل أفلام رقيقة عالية الجودة وخالية من العيوب. لا تقاوم الطلاءات SIC فقط درجات الحرارة العالية ، ولكن أيضًا الحفاظ على الاستقرار الكيميائي في بيئات العمليات المعقدة لتجنب التلوث والتآكل. لذلك ، تلعب شركات النقل المغلفة SIC دورًا حيويًا في عملية نمو Epitaxy لأجهزة أشباه الموصلات عالية الدقة مثل أجهزة الطاقة SIC (مثل MOSFETs والثنائيات) ، ومصابيح LED (وخاصة LED الأزرق والأشعة فوق البنفسجية) ، والخلايا الشمسية الكهروضوئية.

نيتريد غاليوم (GAN)و Arsenide (GAAS) غاليوم (GAAS) Epitaxy:

تعتبر شركات النقل المغلفة SIC خيارًا لا غنى عنه لنمو الطبقات الفوقية GAN و GAAS بسبب الموصلية الحرارية الممتازة ومعامل التمدد الحراري المنخفض. يمكن أن توزع الموصلية الحرارية الفعالة بالتساوي الحرارة أثناء النمو الفوقي ، مما يضمن أن كل طبقة من المواد المودعة يمكن أن تنمو بشكل موحد عند درجة حرارة محكومة. في الوقت نفسه ، يتيح التوسع الحراري المنخفض لـ SIC أن يظل مستقراً أبعادًا في ظل تغييرات درجات الحرارة القصوى ، مما يقلل بشكل فعال من خطر تشوه الويفر ، وبالتالي ضمان الجودة العالية والاتساق للطبقة الفوقية. تجعل هذه الميزة شركات النقل المغلفة SIC خيارًا مثاليًا لتصنيع الأجهزة الإلكترونية عالية التردد ، عالية الطاقة (مثل أجهزة Gan Hemt) والاتصالات البصرية والأجهزة الإلكترونية الضوئية (مثل الليزر القائم على GAAS وكاشفات).

انها أشباه الموصلاتMOCVD SIC Coating Soundor Shops: