طلاء TAC بوتقة

يتعامل مع أشباه الموصلاتCVD TAC المغلفة المغلفةعادةً ما تلعب الأدوار الرئيسية التالية في طريقة النمو الكريستال المفردة في طريقة PVT:

تشير طريقة PVT إلى وضع بلورة بذرة كذا أعلى البوتقة المغلفة TAC ، ووضع مسحوق SIC كمواد خام في أسفل البوتقة. في بيئة مغلقة من درجة الحرارة العالية والضغط المنخفض ، يسامي مسحوق SIC ، وتحت عمل التدرج درجة الحرارة وفرق التركيز ،مسحوق كذايتم نقله إلى محيط بلورة البذور ، ويصل إلى حالة مفرطة بعد إعادة التبلور. لذلك ، يمكن أن تحقق طريقة PVT نموًا يمكن التحكم فيه من حجم البلورة SIC وشكل بلوري محدد.

● الاستقرار الحراري لنمو البلورة

تمثل البوتقات المغلفة في أشباه الموصلات النقش في VETEK ثباتًا حراريًا ممتازًا (يمكن أن تظل مستقرة أقل من 2200 ℃) ، مما يساعد على الحفاظ على سلامتها الهيكلية حتى في درجات الحرارة المرتفعة للغاية المطلوبة لنمو البلورة المفردة. تتيح هذه الخاصية المادية بوتقة الجرافيت المغلفة SIC للتحكم بدقة في عملية نمو البلورة ، مما يؤدي إلى بلورات موحدة وخالية من العيوب.

● حاجز كيميائي ممتاز

تجمع البوتقات المغلفة TAC بين طلاء كربيد tantalum مع بوتقة عالية النقاء من الجرافيت لتوفير مقاومة ممتازة لمجموعة واسعة من المواد الكيميائية المسببة للتآكل والمواد المنصهرة التي تمت مواجهتها عادة خلال نمو البلورة الفردية. هذه الخاصية أمر بالغ الأهمية لتحقيق بلورات عالية الجودة مع الحد الأدنى من العيوب.

● تخميد الاهتزازات لبيئة نمو مستقرة

تقلل خصائص التخميد الممتازة في البوتقة المغلفة TAC من الاهتزازات والصدمة الحرارية داخل بوتقة الجرافيت ، مما يساهم بشكل أكبر في بيئة نمو بلورية مستقرة ومكافحة. من خلال التخفيف من هذه المصادر المحتملة للتداخل ، يتيح طلاء TAC نمو بلورات أكبر وأكثر اتساقًا مع كثافة العيوب المنخفضة ، وزيادة غلة الأجهزة في نهاية المطاف وتحسين أداء الجهاز.

● الموصلية الحرارية الممتازة

تحتوي البوتقات المطلية بـ Veteksemicon على الموصلية الحرارية الممتازة ، مما يساعد بوتقة الجرافيت على نقل الحرارة بسرعة وبشكل متساو. هذا يحدد التحكم الدقيق في درجة الحرارة خلال عملية نمو البلورة ، مما يقلل من العيوب البلورية الناجمة عن التدرجات الحرارية.

طلاء كربيد tantalum (TAC) على مقطع عرضي مجهري

الخصائص الفيزيائيةطلاء كربيد تانتالوم

نقض متاجر إنتاج أشباه الموصلات