قائمة الويب

بحث منتوج

لغة

منتجات

سيليكون كربيد epitaxy


يعتمد تحضير Epitaxy عالي الجودة من السيليكون على التكنولوجيا المتقدمة والمعدات والمعدات. في الوقت الحاضر ، فإن طريقة نمو Epitaxy الأكثر استخدامًا على نطاق واسع هي ترسب البخار الكيميائي (CVD). لديها مزايا التحكم الدقيق في سماكة الفيلم الفوقي وتركيز المنشطات ، وعيوب أقل ، ومعدل نمو معتدل ، والتحكم التلقائي في العملية ، وما إلى ذلك ، وهي تقنية موثوقة تم تطبيقها تجاريًا بنجاح.


يتبنى Cilicon Carbide CVD Epitaxy عمومًا معدات CVD الجدار الساخن أو الجدار الدافئ ، مما يضمن استمرار SIC طبقة Epitaxy 4H البلورية في ظل ظروف درجة حرارة النمو المرتفعة (1500 ~ 1700 ℃) ، جدار ساخن أو CVD الجدار الدافئ بعد سنوات من التطور ، وفقًا للعلاقة بين اتجاه تدفق الهواء Inlet و Hand Ractore Brustge Brusttal.


هناك ثلاثة مؤشرات رئيسية لجودة الفرن الفوقي ، الأول هو أداء النمو الفوقي ، بما في ذلك توحيد السمك ، وتوحيد المنشطات ، ومعدل العيب ومعدل النمو ؛ والثاني هو أداء درجة حرارة الجهاز نفسه ، بما في ذلك معدل التدفئة/التبريد ، والحد الأقصى لدرجة الحرارة ، وتوحيد درجة الحرارة ؛ أخيرًا ، أداء التكلفة للمعدات نفسها ، بما في ذلك سعر وقدرة وحدة واحدة.



ثلاثة أنواع من فرن النمو الفوري للسيليكون والاختلافات الإكسسوارات الأساسية


تعد CVD الأفقية الجدار الساخن (النموذج النموذجي PE1O6 لشركة LPE) ، و CVD الكوكبي الدافئ (MODEL AIXTRON G5WWC/G10) و CVD شبه الساخن (الممثلة في هذه المرحلة EPIREVOS6 من NUFLARE COMPANY) هي الحلول التقنية للمعدات الفاصلة الرئيسية التي تم تحريكها في هذه المرحلة. تحتوي الأجهزة التقنية الثلاثة أيضًا على خصائصها الخاصة ويمكن اختيارها وفقًا للطلب. يظهر هيكلهم على النحو التالي:


المكونات الأساسية المقابلة هي كما يلي:


(أ) الجدار الساخن من النوع الأفقي من الأجزاء الجزئية- يتكون الأجزاء نصف المون من

عزل المصب

العزل الرئيسي العلوي

النصف العلوي

عزل المنبع

قطعة الانتقال 2

قطعة الانتقال 1

فوهة الهواء الخارجي

الغطس مدبب

فوهة غاز الأرجون الخارجي

فوهة غاز الأرجون

لوحة دعم الرقاقة

دبوس تركز

الحرس المركزي

غطاء الحماية اليسرى في اتجاه مجرى النهر

غطاء الحماية اليمنى في اتجاه مجرى النهر

غطاء الحماية اليسرى في المنبع

غطاء الحماية اليمنى في المنبع

الجدار الجانبي

حلقة الجرافيت

شعر الحماية

دعم شعر

كتلة الاتصال

اسطوانة منفذ الغاز



(ب) نوع الكواكب الجدران الدافئ

كذا طلاء القرص الكوكبي والقرص الكوكبي المطلي TAC


(ج) نوع الجدار شبه الحراري


NUFLARE (اليابان): تقدم هذه الشركة أفران رأسية مزدوجة الطابقات تسهم في زيادة محصول الإنتاج. يتميز الجهاز بدوران عالي السرعة يصل إلى 1000 ثورة في الدقيقة ، وهو مفيد للغاية للتوحيد الفوقي. بالإضافة إلى ذلك ، يختلف اتجاه تدفق الهواء عن المعدات الأخرى ، حيث يكون لأسفل رأسياً ، مما يقلل من توليد الجزيئات ويقلل من احتمال انخفاض قطرات الجسيمات على الرقمات. نحن نقدم مكونات الجرافيت المغلفة CORE SIC لهذا الجهاز.


كمورد لمكونات المعدات الفوقية SIC ، تلتزم أشباه الموصلات Vetek بتزويد العملاء بمكونات طلاء عالية الجودة لدعم التنفيذ الناجح لـ SIC Epitaxy.



View as  
 
حامل رقاقة المغلفة كذا

حامل رقاقة المغلفة كذا

Vetek Semiconductor هي شركة تصنيع محترفة وقائد لمنتجات Helder المغلفة في الصين. حامل الرقاقة المطلي SIC هو حامل رقاقة لعملية epitaxy في معالجة أشباه الموصلات. إنه جهاز لا يمكن تعويضه يستقر على الرقاقة ويضمن النمو الموحد للطبقة الفوقية. مرحبًا بكم مزيد من الاستشارة.
عرض المزيد >> إرسال استفسار >>
حامل الويفر الويفر

حامل الويفر الويفر

VETEK Semiconductor هي شركة مصنعة ومصنع للرقاقة في برنامج EPI المحترف في الصين. EPI Wefer Holder هو حامل رقاقة لعملية Epitaxy في معالجة أشباه الموصلات. إنها أداة أساسية لتحقيق الاستقرار في الرقاقة وضمان نمو موحد للطبقة الفوقية. يستخدم على نطاق واسع في معدات epitaxy مثل MOCVD و LPCVD. إنه جهاز لا يمكن الاستغناء عنه في عملية Epitaxy. مرحبًا بكم مزيد من الاستشارة.
عرض المزيد >> إرسال استفسار >>
Aixtron Satellite Wefer Carrier

Aixtron Satellite Wefer Carrier

تعتبر شركة Aixtron Satellite Wefer Aixtron من Aixtron هي حاملة رقاقة تستخدم في معدات Aixtron ، وتستخدم بشكل رئيسي في عمليات MOCVD ، وهي مناسبة بشكل خاص لعمليات معالجة أشباه الموصلات عالية الدقة والدرجات العالية. يمكن أن توفر الناقل دعمًا ثابتًا للرقاقة وترسب موحد للأفلام أثناء النمو الفوقي MOCVD ، وهو أمر ضروري لعملية ترسب الطبقة. مرحبًا بكم مزيد من الاستشارة.
عرض المزيد >> إرسال استفسار >>
مفاعل LPE Halfmoon Sic Epi

مفاعل LPE Halfmoon Sic Epi

Vetek Semiconductor هي شركة منتجات مفاعل EPI Halfmoon المحترفة LPE SIC ، والمبتكر والرائد في الصين. LPE Halfmoon SIC EPI مفاعل هو جهاز مصمم خصيصًا لإنتاج الطبقات الفوقية للسيليكون عالية الجودة (SIC) ، ويستخدم بشكل رئيسي في صناعة أشباه الموصلات. مرحبًا بك في استفساراتك الأخرى.
عرض المزيد >> إرسال استفسار >>
CVD SIC سقف مغلف

CVD SIC سقف مغلف

السقف المغلفة في CVD SIC من CVD في VETEK له خصائص ممتازة مثل مقاومة درجات الحرارة العالية ، ومقاومة التآكل ، والصلابة العالية ، ومعامل التمدد الحراري المنخفض ، مما يجعله اختيارًا مثاليًا للمادة في تصنيع أشباه الموصلات. بصفتك شركة تصنيع ومورد سقف مغلف في CVD الرائدة في الصين ، تتطلع أشباه الموصلات الفيتيكية إلى استشارةك.
عرض المزيد >> إرسال استفسار >>
أسطوانة الجرافيت CVD SIC

أسطوانة الجرافيت CVD SIC

تعتبر أسطوانة الجرافيت في CVD SIC من CVD في VETEK محوريًا في معدات أشباه الموصلات ، حيث تعمل كدرع واقعي داخل المفاعلات لحماية المكونات الداخلية في إعدادات درجة الحرارة والضغط المرتفعة. إنه يحظى بفعالية ضد المواد الكيميائية والحرارة الشديدة ، مع الحفاظ على سلامة المعدات. مع التآكل الاستثنائي ومقاومة التآكل ، فإنه يضمن طول العمر والاستقرار في البيئات الصعبة. استخدام هذه الأغطية يعزز أداء جهاز أشباه الموصلات ، ويطيل عمر ، ويخفف من متطلبات الصيانة ومخاطر الأضرار.
عرض المزيد >> إرسال استفسار >>

Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.


Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.


Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs,  IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.


Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.


To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.


بصفتنا الشركة المصنعة والمورد المحترف في الصين ، لدينا مصنع خاص بنا. سواء كنت بحاجة إلى خدمات مخصصة لتلبية الاحتياجات المحددة لمنطقتك أو ترغب في شراء سيليكون كربيد epitaxy المتقدمة والمتينة في الصين ، يمكنك ترك رسالة لنا.
توصيات الأخبار
ما هو نمو بلورات كربيد السيليكون؟
ما هو نمو بلورات كربيد السيليكون؟عرض المزيد >>
ثلاث تقنيات النمو الكريستال الفردي SIC
ثلاث تقنيات النمو الكريستال الفردي SICعرض المزيد >>
ما هي الاختلافات بين الجرافيت المتناسق والجرافيت السيليكون؟
ما هي الاختلافات بين الجرافيت المتناسق والجرافيت السيليكون؟عرض المزيد >>
سيليكون كربيد المواد النانوية
سيليكون كربيد المواد النانويةعرض المزيد >>
هل ما زلت قلقًا بشأن أداء المواد في بيئات درجات الحرارة العالية؟
هل ما زلت قلقًا بشأن أداء المواد في بيئات درجات الحرارة العالية؟عرض المزيد >>
ما هو طلاء Tantalum Carbide TAC؟ - Veteksemicon
ما هو طلاء Tantalum Carbide TAC؟ - Veteksemiconعرض المزيد >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept