طلاء SiC أجزاء الجرافيت نصف القمر

في غرفة التفاعل لفرن النمو الفوقي SIC ، تعد أجزاء الجرافيت نصف طلاء SIC مكونات رئيسية لتحسين توزيع تدفق الغاز ، والتحكم في المجال الحراري ، وتوحيد الغلاف الجوي للتفاعل. عادة ما تكون مصنوعة من طلاء كذاالجرافيت، المصممة على شكل نصف قمر ، تقع في أجزاء الجرافيت العلوية والسفلية من غرفة التفاعل ، المحيطة بمساحة الركيزة.

    •الجزء العلوي من الجرافيت نصف: مثبت في الجزء العلوي من غرفة التفاعل ، بالقرب من مدخل الغاز ، المسؤول عن توجيه غاز التفاعل إلى التدفق نحو سطح الركيزة.

    •الجزء السفلي من الجرافيت بنصف القمر: يقع في الجزء السفلي من غرفة التفاعل، عادة أسفل حامل الركيزة، ويستخدم للتحكم في اتجاه تدفق الغاز وتحسين المجال الحراري وتوزيع الغاز في الجزء السفلي من الركيزة.

خلالعملية الفوقية SiC، يساعد جزء الجرافيت نصف القمر في توجيه تدفق الغاز ليتم توزيعه بالتساوي على الركيزة ، مما يمنع الغاز من التأثير المباشر على سطح الركيزة والتسبب في ارتفاع درجة الحرارة المحلية أو تدفق الهواء. يسمح جزء الجرافيت السفلي نصف القمر للغاز بالتدفق بسلاسة عبر الركيزة ثم يتم تفريغه ، مع منع الاضطراب من التأثير على توحيد نمو الطبقة الفوقية.

فيما يتعلق بتنظيم المجال الحراري، تساعد أجزاء الجرافيت Halfmoon المطلية بطبقة SiC على توزيع الحرارة بالتساوي في غرفة التفاعل من خلال الشكل والموضع. يمكن للجزء العلوي من الجرافيت نصف القمر أن يعكس بشكل فعال الحرارة المشعة للسخان لضمان استقرار درجة الحرارة فوق الركيزة. وللجزء السفلي من الجرافيت على شكل نصف القمر أيضًا دور مماثل، حيث يساعد على توزيع الحرارة بالتساوي أسفل الركيزة من خلال التوصيل الحراري لمنع الاختلافات المفرطة في درجات الحرارة.

يجعل طلاء SiC المكونات مقاومة لدرجات الحرارة المرتفعة وموصلة حرارياً، لذا فإن أجزاء نصف القمر من VeTek Semiconductor تتمتع بعمر خدمة طويل. تم تصميم أجزاء الجرافيت نصف القمر الخاصة بنا لطبقة SiC بعناية، ويمكن دمجها بسلاسة في العديد من المفاعلات الفوقية، مما يساعد على تحسين الكفاءة والموثوقية الشاملة لعملية تصنيع أشباه الموصلات. مهما كانت احتياجات أجزاء الجرافيت Halfmoon المطلية بطبقة SiC، يرجى الاتصال بشركة VeTek Semiconductor.

Watersemiمحلات قطع غيار الجرافيت ذات طلاء نصف القمر من SiC: