غان Epitaxy endertaker

Gan Epitaxy هي تقنية تصنيع أشباه الموصلات المتقدمة تستخدم لإنتاج الأجهزة الإلكترونية والبصرية عالية الأداء. وفقا لمواد الركيزة المختلفة ،GAN رقائق الفوقيةيمكن تقسيمجان أون سي.

       تخطيطي مبسط لعملية MOCVD لتوليد GAN Epitaxy

في إنتاج Gan Epitaxy ، لا يمكن وضع الركيزة ببساطة في مكان ما للترسب الفوقي ، لأنه يتضمن عوامل مختلفة مثل اتجاه تدفق الغاز ودرجة الحرارة والضغط والتثبيت والسقوط. لذلك ، هناك حاجة إلى قاعدة ، ثم يتم وضع الركيزة على القرص ، ثم يتم تنفيذ ترسب الفوقي على الركيزة باستخدام تقنية CVD. هذه القاعدة هي Gan epitaxy sectrosor.

عدم تطابق شعرية بين SIC و GAN صغير لأن الموصلية الحرارية لـ SIC أعلى بكثير من تلك الموجودة في GAN و SI و SAPPHIRE. لذلك ، بغض النظر عن الرقاقة الفوقية GAN للركيزة ، يمكن لـ Gan epitaxy sectoseor مع طلاء SIC تحسين الخصائص الحرارية للجهاز بشكل كبير ويقلل من درجة حرارة تقاطع الجهاز.

عدم تطابق شعرية وعلاقات عدم التوافق الحراري للمواد

يتمتع Gan epitaxy sectrosor المصنعة من قبل فتيك أشباه الموصلات بالخصائص التالية:

مادة: يتكون Sountor من الجرافيت عالي النقاء وطلاء SIC ، والذي يمكّنه من تحمل درجات الحرارة العالية وتوفير استقرار ممتاز أثناء التصنيع الفوقي.

الموصلية الحرارية: الأداء الحراري الجيد يمكّن التحكم الدقيق في درجة الحرارة ، ويضمن التوصيل الحراري الجيد لشركة Gan Epitaxy Sectrosor ترسبًا موحدًا لـ Gan Epitaxy.

الاستقرار الكيميائي: يمنع طلاء SIC التلوث والتآكل ، لذلك يمكن لشركة Gan Epitaxy Socpetor تحمل البيئة الكيميائية القاسية لنظام MOCVD وضمان الإنتاج الطبيعي لـ GAN Epitaxy.

تصميم: يتم التصميم الهيكلي وفقًا لاحتياجات العملاء ، مثل المشكلات على شكل برميل أو على شكل فطيرة. يتم تحسين الهياكل المختلفة لتقنيات النمو الفوقي المختلفة لضمان أفضل عائد رقاقة وتوحيد الطبقة.

مهما كان Needr الخاص بك ، يمكن أن توفر لك أشباه الموصلات Vetek أفضل المنتجات والحلول. نتطلع إلى استشارةك في أي وقت.

الخصائص الفيزيائية الأساسية لـCVD كذا طلاء:

التمهيد أشباه الموصلاتمتاجر غان Epitaxy: