بوتقة الجرافيت ثلاثية الأبطال

بوتقة الجرافيت ثلاثية الأطباء في Vetek Semiconductor مصممة لعملية نمو السيليكون أحادي البلورة بواسطة طريقة CZ ، يتكون بوتقة الجرافيت من ثلاثية الأطباء من مادة الجرافيت عالية النقاء المتساوية. من خلال الهيكل المبتكر ثلاثي الأطباق ، يمكن للبوتقة المتكاملة التقليدية حل صعوبات التفكيك بشكل فعال ، وتركيز الإجهاد الحراري وغيرها من نقاط ألم الصناعة ، ويستخدم على نطاق واسع في رقائق السيليكون الكهروضوئية ، ورفاق أشباه الموصلات وغيرها من ملاعب التصنيع المتطورة.

تبرز العملية الأساسية

1. تقنية معالجة الجرافيت فائقة الدقة

نقاء المواد: استخدام الركيزة الجرافيتية المضغوطة مع محتوى الرماد <5ppm إذا لزم الأمر وعمومًا ＜ 10ppm لضمان تلوث صفري في عملية ذوبان السيليكون

التعزيز الهيكلي: بعد رسم الرسوم البيانية عند 2200 ℃ ، تكون قوة الانحناء ≥45mPa ، ومعامل التمدد الحراري هو ≤4.6 × 10⁻⁶/℃

المعالجة السطحية: يتم ترسيب طلاء الكربون الحاديمي 10-15μm بواسطة عملية CVD لتحسين مقاومة الأكسدة (فقدان الوزن <1.5٪/100H@1600℃).

2. تصميم هيكل ثلاثي الأبعاد مبتكر

التجميع المعياري: زيادة بنية Three-Lobe ، 120 درجة ، زيادة كفاءة التثبيت وتفكيكها بنسبة 300 ٪

تصميم إطلاق الإجهاد: بنية الانقسام تتفرق بشكل فعال عن إجهاد التمدد الحراري ويمتد عمر الخدمة إلى أكثر من 200 دورة

Precision Fit: الفجوة بين الصمامات <0.1 مم ، والمواد اللاصقة الخزفية عالية درجة الحرارة تضمن تسربًا صفريًا في عملية ذوبان السيليكون

3. خدمات المعالجة المخصصة

الدعم φ16 "-φ40" التخصيص بالحجم الكامل ، والتحكم في تحمل سمك الجدار ± 0.5 ملم

يمكن تحديد هيكل كثافة التدرج 1.83 جم/سم مكيف لتحسين توزيع المجال الحراري

توفير عمليات ذات قيمة مضافة مثل طلاء Boron Nitride المركب وتقوية الحافة المعدنية Rhenium

سيناريو التطبيق النموذجي

صناعة الكهروضوئية

رسم السيليكون أحادي البلورة الرسم المستمر: مناسب لإنتاج رقاقة سيليكون كبير الحجم ، ودعم ≥500 كيلوجرام قدرة التحميل

بطارية N-type Topcon: تضمن ترحيل الشوائب المنخفضة حياة الأقلية> 2ms

ترقية المجال الحراري: متوافق مع نماذج الفرن البلورية الفردية السائدة (PVI ، Ferrotec ، إلخ)

تصنيع أشباه الموصلات

8-12 بوصة من أشباه الموصلات أحادي البلورة النمو النمو: تلبية متطلبات نظافة شبه قياسية من الدرجة 10

بلورات مخدرة خاصة: التحكم الدقيق في توحيد توزيع البورون/الفوسفور

أشباه الموصلات الجيل الثالث: عملية تحضير بلورة واحدة متوافقة

مجال البحث العلمي

بحث وتطوير رقائق السيليكون الرفيعة للخلايا الشمسية الفضائية

اختبار نمو المواد البلورية الجديدة (الجرمانيوم ، أرسينيد الغاليوم)

الحد من أبحاث المعلمة (3000 ℃ تجربة ذوبان درجات الحرارة العالية للغاية)

نظام ضمان الجودة

ISO 9001/14001 شهادة النظام المزدوجة

توفير تقرير اختبار المواد للعملاء (تحليل تكوين XRD ، SEM المجهرية)

نظام تتبع العملية بأكملها (وضع علامة ليزر + تخزين blockchain)